Low-Frequency Noise Assessment of Different Ge pFinFET STI Processes (2016)
Oliveira, Alberto Vinicius de; Simoen, Eddy 
; Mitard Jerome; Agopian, Paula Ghedini Der ; Langer, Robert; Witters, Liesbeth J; Martino, João Antonio
Source: IEEE Transactions on Electron Devices. Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, SILÍCIO
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ABNT
OLIVEIRA, Alberto Vinicius de et al. Low-Frequency Noise Assessment of Different Ge pFinFET STI Processes. IEEE Transactions on Electron Devices, v. 63, n. 10, p. 4031-4037, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/ted.2016.2598288. Acesso em: 22 maio 2024.APA
Oliveira, A. V. de, Simoen, E., Mitard Jerome,, Agopian, P. G. D., Langer, R., Witters, L. J., & Martino, J. A. (2016). Low-Frequency Noise Assessment of Different Ge pFinFET STI Processes. IEEE Transactions on Electron Devices, 63( 10), 4031-4037. doi:10.1109/ted.2016.2598288NLM
Oliveira AV de, Simoen E, Mitard Jerome, Agopian PGD, Langer R, Witters LJ, Martino JA. Low-Frequency Noise Assessment of Different Ge pFinFET STI Processes [Internet]. IEEE Transactions on Electron Devices. 2016 ; 63( 10): 4031-4037.[citado 2024 maio 22 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ted.2016.2598288Vancouver
Oliveira AV de, Simoen E, Mitard Jerome, Agopian PGD, Langer R, Witters LJ, Martino JA. Low-Frequency Noise Assessment of Different Ge pFinFET STI Processes [Internet]. IEEE Transactions on Electron Devices. 2016 ; 63( 10): 4031-4037.[citado 2024 maio 22 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ted.2016.2598288
